martes, 9 de agosto de 2011

Primeros detectores VPD de PbSe procesados sobre obleas de silicio de 8 pulgadas de diámetro

Con estos detectores se crea una nueva generación de detectores de matriz de plano focal (FPA) que aumentará los límites de velocidad y resolución de los detectores de infrarrojos (IR) actuales, ofreciendo múltiples e innovadoras soluciones en aplicaciones civiles, industriales y militares.
la empresa española radicada en Madrid New Infrared Technologies (NIT) único fabricante a nivel mundial de detectores de imagen infrarroja FPA de PbSe (Seleniuro de Plomo) y sistemas de visión infrarroja no refrigerados en la banda MWIR (3 a 5 micras), ha adaptado la línea de producción y los procesos de fabricación necesarios para producir detectores de seleniuro de plomo (PbSe), basados en la tecnología depósito en fase vapor (VPD), sobre obleas de Silicio de 8 pulgadas (200 mm).
Se han realizado cambios significativos al método de procesado de VPD para reducir la temperatura de procesado del material activo y para aumentar la eficiencia del proceso de fabricación. Estas modificaciones garantizan la plena compatibilidad del proceso LT-VPD (depósito en fase de vapor de baja temperatura) con la tecnología CMOS (complementary metal-oxide semiconductor), lo que permite la integración ROIC (lectura fuera de circuito integrado) y la producción en el medio plazo de detectores de matriz de plano focal, FPA, de mayor formato, mayor velocidad de respuesta y menor consumo de potencia, conservando sus características: detección infrarroja en el rango de 1-5 micras de longitud de onda, funcionamiento no refrigerado a temperatura ambiente y detección ultrarrápida.


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